半导体封装结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型提供一种半导体封装结构,半导体封装结构包括:重新布线层;芯片,倒装键合于重新布线层的上表面;电连接结构,位于重新布线层的上表面;塑封层,位于重新布线层的上表面,且将芯片及电连接结构塑封;第一天线层,位于塑封层的上表面;具有第二天线层的引线框架,位于塑封层上,并于塑封层上形成空气腔;第一天线层位于空气腔内,且位于第二天线层的下方,与第二天线层具有间距;焊球凸块,位于重新布线层的下表面。本实用新型的半导体封装结构中,空气的介质损耗极小,对天线信号的损耗为零,可以有效降低第一天线层及第二天线层的信号损耗,可以得到带宽较大的天线封装结构,从而提高半导体封装结构的性能。
基本信息
专利标题 :
半导体封装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920834674.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-04
授权号 :
CN210182380U
授权日 :
2020-03-24
发明人 :
吕娇陈彦亨林正忠
申请人 :
中芯长电半导体(江阴)有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市江阴市长山大道78号
代理机构 :
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 :
史治法
优先权 :
CN201920834674.X
主分类号 :
H01L23/66
IPC分类号 :
H01L23/66 H01L23/485 H01L23/488 H01L21/60 H01Q1/52 H01Q1/22
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的,用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
H01L23/66
高频匹配器
法律状态
2021-06-29 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 23/66
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体(江阴)有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体(江阴)有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号(经营场所江阴市东盛西路9号)
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体(江阴)有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体(江阴)有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号(经营场所江阴市东盛西路9号)
2020-03-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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