半导体封装结构

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摘要

本实用新型提供一种半导体封装结构。该结构包括重新布线层、第一天线层、第一导电柱、第一塑封材料层、第二天线层、第二导电柱、第二塑封材料层、第三天线层、金属凸块及芯片；第一天线层位于重新布线层的上表面；第一导电柱位于第一天线层的上表面；第二天线层位于第一塑封材料层的上表面；第二导电柱位于第二天线层的上表面；第二塑封材料层位于第二天线层的上表面；第三天线层位于第二塑封材料层的上表面；金属凸块位于重新布线层的下表面；芯片位于金属凸块的下表面。本实用新型可以实现芯片和多个天线层在垂直方向上的互连以确保上下层良好导通，有助于缩小封装结构的体积，提高器件集成度和性能，同时有助于降低成本。

基本信息

专利标题：

半导体封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020467659.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-04-02

授权号：

CN211376637U

授权日：

2020-08-28

发明人：

黄晗林正忠吴政达陈彦亨

申请人：

中芯长电半导体（江阴）有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市江阴市长山大道78号

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

余明伟

优先权：

CN202020467659.9

主分类号：

H01L23/66

IPC分类号：

H01L23/66 H01L23/498 H01L21/48 H01L21/60 H01L23/34 H01Q1/22