半导体封装方法及半导体封装结构
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。该方法包括：将设有贯通开口的布线基板贴装于载板上；在载板暴露于贯通开口的表面贴装裸片组件，裸片组件包括第一裸片以及附接于第一裸片的第二裸片，第一裸片设有焊垫的正面面向载板，第二裸片设有焊垫的正面背向载板；在贯通开口的侧壁与裸片组件之间填充塑封层，并去除载板；形成第一导电结构，第一裸片的焊垫与布线基板均电连接于第一导电结构；形成第二导电结构，第二裸片的焊垫与布线基板均电连接于第二导电结构。本公开能够解决由于裸片上的布线密度过高所导致的布线困难的问题。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装方法及半导体封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446798A
申请号 ：
CN202011218447.8
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周辉星
申请人 ：
矽磐微电子（重庆）有限公司
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区西永大道25号C栋
代理机构 ：
北京博思佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
张相钦
优先权 ：
CN202011218447.8
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L21/60 H01L23/498
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20201104
申请日 : 20201104
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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