半导体封装方法和半导体封装结构
公开
摘要
本申请公开了一种半导体封装方法和半导体封装结构。其中，半导体封装方法包括以下步骤：在半导体晶圆的第一表面形成第一保护层；减薄半导体晶圆；在半导体晶圆的第二表面形成第二保护层；切割半导体晶圆。第一保护层和第二保护层的热膨胀系数的差值小于等于6。半导体封装结构由半导体封装方法制作而成。在上述设置中，限制第一保护层和第二保护层的热膨胀系数的差值，使得第一保护层和第二保护层在同一温度环境下所产生的形变量相近，从而使得半导体封装结构的第一表面和第二表面受到的作用力尽可能达到均衡，减少或者避免半导体晶圆由于受力不均衡而出现曲翘，保证半导体封装结构在进行冷热冲击等信赖性试验时结构的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装方法和半导体封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582735A
申请号 ：
CN202011378148.0
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王鑫璐
申请人 ：
矽磐微电子（重庆）有限公司
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区西永大道25号C栋
代理机构 ：
北京博思佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
王茹
优先权 ：
CN202011378148.0
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L23/31 H01L23/29
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
