半导体封装结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型提供一种半导体封装结构，半导体封装结构包括：重新布线层；芯片，键合于重新布线层的下表面；电连接结构，位于重新布线层的上表面；塑封层，位于重新布线层的上表面，且将电连接结构塑封；第一天线层，位于塑封层的上表面；框架结构，位于塑封层的上表面，且位于第一天线层的外围；透镜层，位于框架结构的顶部，透镜层包括至少一个透镜；第二天线层，位于透镜层的下表面，包括至少一个第二天线且第二天线与透镜对应设置；焊球凸块，位于重新布线层的下表面。本实用新型的半导体封装结构可以有效减小封装结构的体积，有助于提高器件集成度；且本实用新型的半导体封装结构还具有传输讯号路径短、传输损耗低、天线增益高等优点。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920834721.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-04
授权号 ：
CN209804636U
授权日 ：
2019-12-17
发明人 ：
陈彦亨吴政达林正忠
申请人 ：
中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市江阴市长山大道78号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
余明伟
优先权 ：
CN201920834721.0
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/498 H01L21/56 H01L23/58 H01Q1/22
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2021-06-25 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 23/31
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体（江阴）有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体（江阴）有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体（江阴）有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体（江阴）有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）
2019-12-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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