半导体封装结构
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摘要
本发明公开一种半导体封装结构，包括：半导体晶粒；第一模塑料层，围绕所述半导体晶粒；第一再分布层结构，形成在所述半导体晶粒的非主动表面和所述第一模塑料层上；第二模塑料层，形成在所述第一再分布层结构上；绝缘覆盖层，覆盖所述第二模塑料层；以及第一天线，电耦合到所述半导体晶粒，包括：第一天线元件，形成在所述第一再分布层结构中；以及第二天线元件，形成在所述第二模塑料层和所述绝缘覆盖层之间。这样可以使用绝缘覆盖层保护第二天线元件，避免天线氧化及测试期间的表面损坏，还可以加固第二天线元件，减少第二天线元件脱落的可能性。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110491863A
申请号 ：
CN201910390849.7
公开（公告）日 ：
2019-11-22
申请日 ：
2019-05-10
授权号 ：
CN110491863B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
刘乃玮齐彦尧林子闳许文松
申请人 ：
联发科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区笃行一路一号
代理机构 ：
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李庆波
优先权 ：
CN201910390849.7
主分类号 ：
H01L23/66
IPC分类号 ：
H01L23/66 H01L23/31 H01Q1/22 H01Q1/42 H01Q21/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
H01L23/66
高频匹配器
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2019-12-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/66
申请日 : 20190510
申请日 : 20190510
2019-11-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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