半导体封装结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型提供一种半导体封装结构。该结构包括重新布线层，重新布线层包括介质层及金属连接层；第一玻璃基板，位于重新布线层的第二表面；金属连接柱，贯穿第一玻璃基板，且与金属连接层电性连接；第一天线层，与金属连接柱电性连接；第二玻璃基板，覆盖第一天线层；第二天线层，位于第二玻璃基板表面；透镜层，位于第二天线层的表面；金属凸块，与金属连接层电性连接；以及芯片，与金属连接层电性连接。本实用新型的半导体封装结构有助于缩小封装结构的体积，提高器件集成度，同时有助于降低生产成本，有利于提高天线的增益和波束宽度，提高器件性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920801545.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-30
授权号 ：
CN209658171U
授权日 ：
2019-11-19
发明人 ：
陈彦亨林正忠
申请人 ：
中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市江阴市长山大道78号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
余明伟
优先权 ：
CN201920801545.0
主分类号 ：
H01L23/66
IPC分类号 ：
H01L23/66 H01L23/485 H01L23/488 H01L21/60 H01Q1/22
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
H01L23/66
高频匹配器
法律状态
2021-07-02 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 23/66
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体（江阴）有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体（江阴）有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体（江阴）有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体（江阴）有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）
2019-11-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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