半导体封装方法及半导体封装结构

实质审查的生效

摘要

本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。所述半导体封装方法包括：提供待封装的第一芯片，所述第一芯片具有正面，所述第一芯片的正面设有焊垫；在所述第一芯片的正面设置待封装的第二芯片及导电柱；所述导电柱与所述第一芯片的焊垫电连接；所述第二芯片具有正面，所述第二芯片的正面背离所述第一芯片，所述第二芯片的正面设有焊垫；形成包封层及导电结构，所述包封层包封所述第一芯片及所述第二芯片；所述导电结构包括位于所述包封层背离所述第一芯片一侧的再布线层、及贯穿所述包封层且将所述第二芯片的焊垫电连接至所述再布线层的第一导电部，所述包封层包封所述第一导电部的侧部，所述再布线层将所述导电柱与所述第一导电部电连接。

基本信息

专利标题：

半导体封装方法及半导体封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114429909A

申请号：

CN202011187616.6

公开（公告）日：

2022-05-03

申请日：

2020-10-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

霍炎涂旭峰

申请人：

矽磐微电子（重庆）有限公司

申请人地址：

重庆市沙坪坝区西永大道25号C栋

代理机构：

北京博思佳知识产权代理有限公司

代理人：

张玲玲

优先权：

CN202011187616.6

主分类号：

H01L21/50

IPC分类号：

H01L21/50 H01L21/56 H01L21/60 H01L25/16 H01L25/18 H01L23/31

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/50

应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的

法律状态

2022-05-20 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20201029

2022-05-03 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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