半导体封装结构和半导体封装结构的制备方法
实质审查的生效
摘要

本发明的实施例提供了一种半导体封装结构和半导体封装结构的制备方法,涉及半导体封装技术领域,该半导体封装结构包括基板、第一芯片、第二芯片、散热柱、第一塑封体和焊球,散热柱设置在基板的一侧表面并位于第一芯片和第二芯片之间,基板的一侧表面设置有金属层,散热柱的底部与金属层连接,并用于对基板进行散热。通过在第一芯片和第二芯片之间设置有散热柱,散热柱设置在基板的金属层上,能够起到良好的散热效果。相较于现有技术,本发明提供的半导体封装结构,能够实现对基板良好的散热效果,进而提升整个器件的散热能力,保证器件性能。

基本信息
专利标题 :
半导体封装结构和半导体封装结构的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114446943A
申请号 :
CN202210117449.0
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2022-02-08
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
马秀清王森民
申请人 :
甬矽电子(宁波)股份有限公司
申请人地址 :
浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号
代理机构 :
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
张鹏
优先权 :
CN202210117449.0
主分类号 :
H01L25/18
IPC分类号 :
H01L25/18  H01L21/48  H01L21/56  H01L23/31  H01L23/367  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/18
申请日 : 20220208
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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