一种半导体器件及其制备方法、半导体封装结构
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摘要
本发明公开了一种半导体器件及其制备方法、半导体封装结构；半导体器件包括衬底；位于衬底一侧的多层半导体层，多层半导体层中形成有二维电子气；位于多层半导体层一侧，且位于多层半导体层的有源区内的第一源极、第一栅极和第一漏极，第一栅极位于第一源极和第一漏极之间；贯穿衬底和多层半导体层的栅极通孔结构和位于衬底远离多层半导体层一侧的栅极背面接触电极；第一栅极通过栅极通孔结构与栅极背面接触电极电连接。通过设置栅极通孔结构和栅极背面接触电极，可以从半导体器件的背面向第一栅极提供信号，降低半导体器件在封装过程中造成的寄生电感和寄生电阻，提升半导体器件在高频开关下的性能和稳定性；同时提升半导体器件的封装灵活性。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体器件及其制备方法、半导体封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112018175A
申请号 ：
CN201910464881.5
公开（公告）日 ：
2020-12-01
申请日 ：
2019-05-30
授权号 ：
CN112018175B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
吴俊峰吴星星
申请人 ：
苏州捷芯威半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区2幢311-B室
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
孟金喆
优先权 ：
CN201910464881.5
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/423 H01L21/335
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2020-12-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20190530
申请日 : 20190530
2020-12-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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