半导体封装器件及其制备方法
公开
摘要
本申请公开了一种半导体封装器件及其制备方法，属于半导体封装技术领域。所述制备方法先提供第一封装体，第一封装体包括芯片、第一导电柱和保护层，芯片具有相对设置的第一主表面和第二主表面，第一主表面具有多个芯片电极，第一导电柱位于芯片电极位置处，且与对应的芯片电极电连接，保护层覆盖第一导电柱；再形成第一塑封层，第一塑封层从第一主表面一侧覆盖第一封装体，第二主表面从第一塑封层中露出；再从第一主表面一侧移除部分第一塑封层和部分保护层，以使得第一导电柱远离芯片的一端从保护层和第一塑封层中露出；且保护层背离芯片一侧表面的平整度大于第一塑封层背离芯片一侧表面的平整度。本申请能够提高半导体封装器件的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597134A
申请号 ：
CN202210056460.0
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李尚轩仇阳阳庄佳铭
申请人 ：
南通通富微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市苏通科技产业园区江达路99号
代理机构 ：
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张庆玲
优先权 ：
CN202210056460.0
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L21/78 H01L23/48 H01L25/07
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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