一种半导体器件的封装方法及半导体器件

授权

摘要

本申请实施例公开了一种半导体器件的封装方法及半导体器件。本申请实施例提供的技术方案，通过采用接合工具将所述铜箔分别与所述芯片以及所述引线管脚进行压合以使得铜箔产生塑性变形，最终使得铜箔与芯片以及引线管脚之间扩散结合形成铜‑铜结合，通过上述压合的方式来替代原有的通过焊接材料来将铜箔与芯片、引线管脚结合的方式。由于在进行铜箔与芯片及引线框架结合时无需进行焊锡以及清除焊锡操作，进而提高了半导体器件的实际产能，以及提升封装工艺的稳定性；并且由于铜箔与引线框架的表面铜层直接结合可以实现双面散热的效果，进一步提高了半导体器件的散热能力。

基本信息

专利标题：

一种半导体器件的封装方法及半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111725085A

申请号：

CN202010549574.X

公开（公告）日：

2020-09-29

申请日：

2020-06-16

授权号：

CN111725085B

授权日：

2022-04-22

发明人：

王琇如

申请人：

杰群电子科技（东莞）有限公司

申请人地址：

广东省东莞市黄江镇裕元工业区内精成科技园A、B栋

代理机构：

北京泽方誉航专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

唐明磊

优先权：

CN202010549574.X

主分类号：

H01L21/607

IPC分类号：

H01L21/607 H01L21/603 H01L23/492 H01L23/367 H01L23/373

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/50

应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的

H01L21/60

引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流

H01L21/607

包括运用机械振动的，例如超声振动

法律状态

2022-04-22 ：

授权

2020-10-27 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/607
申请日 : 20200616

2020-09-29 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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