半导体器件及其封装方法
授权
摘要
本发明实施例提供一种提高氮化镓半导体器件散热性能的封装方法，即GaN半导体器件的垂直面或背面封装在印刷电路板PCB之上，且与PCB热接触。这种封装技术可以与表面组装技术如基板栅格阵列(LGA)版式、球状引脚栅格阵列(BGA)版式以及其他版式相互兼容。PCB与GaN半导体器件的垂直面或背面之间的热接触可采用焊料来制作，作为热接触的焊料也可与GaN半导体器件的源极连接，以提高该GaN半导体器件的电学稳定性。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其封装方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110300494A
申请号 ：
CN201910098756.7
公开（公告）日 ：
2019-10-01
申请日 ：
2019-01-31
授权号 ：
CN110300494B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
李湛明刘雁飞傅玥吴伟东
申请人 ：
李湛明;刘雁飞;傅玥;吴伟东
申请人地址 ：
加拿大安大略省金斯顿市恩哈特路1064号
代理机构 ：
北京久诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
余罡
优先权 ：
CN201910098756.7
主分类号 ：
H05K1/18
IPC分类号 ：
H05K1/18 H05K13/04
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2021-08-10 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H05K 1/18
登记生效日 : 20210729
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 李湛明
变更后权利人 : 苏州量芯微半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : K7P3C2安大略省金斯顿市恩哈特路1064号
变更后权利人 : 215125 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区若水路388号F405室
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 刘雁飞 傅玥 吴伟东
登记生效日 : 20210729
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 李湛明
变更后权利人 : 苏州量芯微半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : K7P3C2安大略省金斯顿市恩哈特路1064号
变更后权利人 : 215125 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区若水路388号F405室
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 刘雁飞 傅玥 吴伟东
2019-11-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H05K 1/18
申请日 : 20190131
申请日 : 20190131
2019-10-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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