功率半导体封装器件
授权
摘要
本实用新型提供了一种功率半导体封装器件，该功率半导体封装器件包括：第一陶瓷基板，所述第一陶瓷基板的第一面设置有第一电路层；芯片，设置在所述第一电路层，并与所述第一电路层电连接；第二陶瓷基板，所述第二陶瓷基板的第二面设置有第二电路层；所述第二电路层与所述芯片及所述第一电路层分别电连接。在上述技术方案中，通过采用陶瓷基板承载芯片，并通过陶瓷基板上的电路层替代现有技术中的粗铝线，提高了芯片在连接时的可靠性，同时通过陶瓷基板改善了芯片在工作时的散热效果，通过在芯片的两侧分别设置陶瓷基板改善了芯片的散热效果。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体封装器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922166561.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-05
授权号 ：
CN211238226U
授权日 ：
2020-08-11
发明人 ：
杨发森史波肖婷
申请人 ：
珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市前山金鸡西路789号
代理机构 ：
北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
石磊
优先权 ：
CN201922166561.X
主分类号 ：
H01L23/373
IPC分类号 ：
H01L23/373 H01L23/498
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/373
为便于冷却的器件材料选择
法律状态
2020-08-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
