功率半导体器件的封装架构
实质审查的生效
摘要
本发明的功率半导体器件的封装架构，属于半导体功率器件安装结构的技术领域，至少解决现有技术中以无引脚方式设置的结构，使功率器件的散热效率低的技术问题。包括封装容器和部分嵌入所述封装容器顶端的散热器，所述封装容器内设有散热组件，所述散热组件能够夹持或包裹功率器件，且能够与功率器件导通，并与所述散热器接触，其中：功率器件工作时产生的热量，通过所述散热组件以热传导的方式传递至所述散热器，以对功率器件进行降温或散热。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体器件的封装架构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551378A
申请号 ：
CN202210030515.0
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐贺朱楠史经奎邓永辉梅营
申请人 ：
致瞻科技（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区秀浦路68号1幢东区303、304、305室
代理机构 ：
北京清大紫荆知识产权代理有限公司
代理人 ：
郑纯
优先权 ：
CN202210030515.0
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/467 H01L23/473
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/367
申请日 : 20220112
申请日 : 20220112
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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