功率半导体器件

授权

摘要

本实用新型实施例提供一种功率半导体器件，包括一侧开口的外壳、组装于所述外壳内部的基板、组装于所述基板一侧表面的半导体芯片以及遮盖所述外壳的开口的散热底板，所述基板背离所述半导体芯片的一侧表面贴合于所述散热底板上，所述散热底板由铜材料制成的焊接层与铝材料制成的散热层层叠组成，所述外壳倒扣于所述焊接层上且所述基板焊接固定于所述焊接层表面。本实用新型实施例通过在外壳开口处设置散热底板，通过散热底板与基板相连来将半导体芯片工作时的热量散发出去，散热底板采用铜材料与铝材料层叠的两层结构，在保证散热性能的同时节约成本。

基本信息

专利标题：

功率半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020077445.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-01-14

授权号：

CN210897256U

授权日：

2020-06-30

发明人：

张杰夫宋贵波

申请人：

深圳市立德电控科技有限公司

申请人地址：

广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙工业城宝龙六路新中桥工业园E栋5楼

代理机构：

深圳市翼智博知识产权事务所(普通合伙)

代理人：

黄莉

优先权：

CN202020077445.0

主分类号：

H01L23/367

IPC分类号：

H01L23/367