功率半导体器件
授权
摘要
公开了一种功率半导体器件，功率半导体器件的栅极导体分别位于沟槽上部的两侧，屏蔽导体位于栅极导体的下方区域，源极电极通过位于栅极导体之间的第二接触孔与屏蔽导体电连接，多个第二接触孔沿沟槽长度方向间隔设置，减小了屏蔽导体的寄生电阻，使得寄生电阻下降几十倍。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020978443.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-02
授权号 ：
CN212434630U
授权日 ：
2021-01-29
发明人 ：
张邵华郭广兴杨彦涛
申请人 ：
杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市黄姑山路4号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
岳丹丹
优先权 ：
CN202020978443.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336
相关图片
法律状态
2021-01-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN212434630U.PDF
PDF下载
