半导体功率器件

授权

摘要

本实用新型公开一种半导体功率器件，包括由环氧封装体包覆的芯片基板、芯片和连接片，所述连接片的下表面自环氧封装体中裸露出，所述芯片的一表面与此连接片的上表面焊接连接，所述芯片的另一表面与连接片的一端连接，所述连接片进一步包括与芯片连接的连接主体和一端自环氧封装体内伸出的引脚，所述引脚靠近连接主体一端的前、后两侧边缘处分别具有一向上的折弯部，从而在两个折弯部与引脚上表面之间形成一凹陷区，所述连接主体的一端嵌入此凹陷区内，并与引脚上表面焊接连接。本实用新型既降低了芯片的热应力，又提高了引脚与连接主体之间位置精度和连接强度，进一步提高了产品在严苛环境下的稳定性、延长其使用寿命。

基本信息

专利标题：

半导体功率器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021457834.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-22

授权号：

CN212750881U

授权日：

2021-03-19

发明人：

吴炆皜何洪运沈加勇

申请人：

苏州固锝电子股份有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市新区通安经济开发区通锡路31号

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司

代理人：

马明渡

优先权：

CN202021457834.2

主分类号：

H01L23/488

IPC分类号：

H01L23/488 H01L23/31