半导体功率器件
专利权的终止
摘要
含有一个P+区与n+区之间的耐压区的半导体功率器件，其特性是用包括有二种导电类型的材料相间排列组成的复合缓冲层(CB层)的耐压区代替了以往的一种导电类型的耐压区。本发明还提供了复合缓冲层不同图形的设计规范。采用本发明可以得到性能优良的各类新结构的半导体功率器件。器件单位面积的导通电阻与击穿电压的关系为Ron∝V1·3。所以采用本发明在改善导通电阻Ron(或正向正降)与器件耐压的矛盾方面有了重要突破。
基本信息
专利标题 ：
半导体功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1056018A
申请号 ：
CN91101845.X
公开（公告）日 ：
1991-11-06
申请日 ：
1991-03-19
授权号 ：
CN1019720B
授权日 ：
1992-12-30
发明人 ：
陈星弼
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
610051四川省成都市建设北路二段四号
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
杨国旭
优先权 ：
CN91101845.X
主分类号 ：
H01L29/38
IPC分类号 ：
H01L29/38 H01L29/78 H01L29/74
相关图片
法律状态
2011-05-04 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101068088661
IPC(主分类) : H01L 29/38
专利号 : ZL91101845X
申请日 : 19910319
授权公告日 : 19930811
期满终止日期 : 20110319
号牌文件序号 : 101068088661
IPC(主分类) : H01L 29/38
专利号 : ZL91101845X
申请日 : 19910319
授权公告日 : 19930811
期满终止日期 : 20110319
2002-11-27 ：
专利申请权、专利权的转移专利权的转移
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 动力莫斯非特技术有限责任公司
变更后权利人 : 三维半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国得克萨斯
变更后权利人 : 美国亚利桑那州
登记生效日 : 20021018
变更前权利人 : 动力莫斯非特技术有限责任公司
变更后权利人 : 三维半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国得克萨斯
变更后权利人 : 美国亚利桑那州
登记生效日 : 20021018
2002-06-12 ：
其他有关事项
2000-05-10 ：
著录项目变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 电子科技大学
变更后 : 美国得克萨斯
变更后 : 动力莫斯非特技术有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前 : 610054四川省成都市建设北路二段四号
变更前 : 电子科技大学
变更后 : 美国得克萨斯
变更后 : 动力莫斯非特技术有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前 : 610054四川省成都市建设北路二段四号
1993-08-11 ：
授权
1992-12-30 ：
审定
1991-11-06 ：
公开
1991-10-16 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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