沟槽功率半导体器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种沟槽功率半导体器件，它包括漏极金属、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第一类沟槽、第二类沟槽、第三类沟槽、第一类氧化层、第二类氧化层、第三类氧化层、第一类导电多晶硅、第二类导电多晶硅、第三类导电多晶硅、第二导电类型体区、第一导电类型源区、绝缘介质层、源极金属、有源区、第一过渡区与第二过渡区；所述第一类氧化层的厚度小于第二类氧化层以及第三类氧化层的厚度，第二类氧化层与第三类氧化层的厚度相等。本实用新型由于第一类氧化层的厚度小于第二类氧化层、第三类氧化层以及第四类氧化层的厚度，可以保证终端击穿电压高于元胞击穿电压，提高了器件可靠性。
基本信息
专利标题 ：
沟槽功率半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022429057.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-28
授权号 ：
CN213150783U
授权日 ：
2021-05-07
发明人 ：
朱袁正周锦程
申请人 ：
无锡新洁能股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN202022429057.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L21/336
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法律状态
2021-05-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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