一种沟槽型半导体功率器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种沟槽型半导体功率器件，包括半导体功率器件主体；所述半导体功率器件主体由加厚外壳和半导体引脚构成，所述加厚外壳表面开设有拿取凹槽，所述半导体功率器件主体两侧表面固定有半导体引脚。本实用新型中，该沟槽型半导体功率器件，通过在半导体表面开设限位用的沟槽来控制半导体引脚的位置，方便人员在使用过程中控制引脚的位置，避免在固定过程中出现歪斜导致出现断路等情况，同时，在焊脚位置开设两个焊接孔，两个焊接孔在使用过程中进行分别焊接，方便讲半导体固定更加稳固。
基本信息
专利标题 ：
一种沟槽型半导体功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922266651.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-17
授权号 ：
CN210897263U
授权日 ：
2020-06-30
发明人 ：
周家枝
申请人 ：
上海曾都电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区叶榭镇叶旺路1号三楼
代理机构 ：
上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李敏
优先权 ：
CN201922266651.6
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2020-06-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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