沟槽型功率器件的沟槽栅结构

专利申请权、专利权的转移

摘要

一种沟槽型功率器件的沟槽栅结构，在半导体基底的沟槽内底部的设有厚氧化层，沟槽侧壁形成沟槽型功率器件的栅氧化层，及在沟槽内沉积形成一个塞状多晶硅栅极，且在厚氧化层上方及多晶硅栅极下方设有第一限制部，及包覆第一限制部的第二限制部。透过第一限制部及第二限制部的存在，在后续工序中将保留第二限制部下方的厚氧化层，从而能降低工艺成本；能在更小深宽比的沟槽中形成良好的TBO(Thick Bottom Oxide)，从而能适用于各种深宽比的沟槽的TBO形成，从而具有较大的使用范围。

基本信息

专利标题：

沟槽型功率器件的沟槽栅结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020530709.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-04-10

授权号：

CN211455690U

授权日：

2020-09-08

发明人：

常虹

申请人：

南京紫竹微电子有限公司

申请人地址：

江苏省南京市江北新区星火路17号创智大厦B座10C-A137室

代理机构：

上海容慧专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

于晓菁

优先权：

CN202020530709.3

主分类号：

H01L29/423

IPC分类号：

H01L29/423 H01L21/28