沟槽功率半导体器件

授权

摘要

本发明提供一种沟槽功率半导体器件，在器件终端区深沟槽的终端结位置和/或台面（mesa）位置对应形成第一二极管和第二二极管，以在源极金属与漏极金属之间增加由所述第一二极管和所述第二二极管反向串联的支路。在器件寄生二极管正向导通时，第一二极管不导通；寄生二极管反向恢复期间过剩空穴累积量超过一定程度，反向串联的支路中第二二极管耗尽穿通，第一二极管导通，即在终端区增加了若干个高效且几乎无不利影响的空穴抽取路径，大幅度减少了元胞区和终端区之间的过渡区附近过剩空穴累积量，降低了电场峰值，使动态雪崩薄弱点得以加固而可靠，大幅度提高了器件在大电感条件下和快速开关情况下的应用能力。

基本信息

专利标题：

沟槽功率半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114156343A

申请号：

CN202210117031.X

公开（公告）日：

2022-03-08

申请日：

2022-02-08

授权号：

CN114156343B

授权日：

2022-04-29

发明人：

周振强

申请人：

绍兴中芯集成电路制造股份有限公司

申请人地址：

浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

田婷

优先权：

CN202210117031.X

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78