沟槽型功率器件
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种沟槽型功率器件，包括器件单元区和终端区；器件单元区中的结构包括：沟槽栅，体区，源区和第一接触孔，第一接触孔的底部穿过源区和体区接触；终端区环绕在器件单元区的周侧。源区的离子注入的区域范围为第一图形范围，第一图形范围小于器件单元区的覆盖区域，第一图形范围的最外侧边缘到器件单元区的最外侧边缘之间为第二图形范围；在第一和第二图形范围内都形成有第一接触孔；在第二图形范围内，第一接触孔直接和体区接触，能降低终端区和器件单元区的交界面处的体区的接触电阻和电流密度，能防止在终端区和器件单元区的交界面的寄生三极管异常开启并从而改善器件的雪崩击穿能量。
基本信息
专利标题 ：
沟槽型功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429981A
申请号 ：
CN202210008462.2
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2022-01-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘华明徐云李亮熊淑平
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭四华
优先权 ：
CN202210008462.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/786 H01L27/088 H01L23/48
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220106
申请日 : 20220106
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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