屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法
授权
摘要
本发明提供一种屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法，在对第二沟槽中的第二氧化层进行湿法刻蚀之前，先形成图形化的阻挡层以覆盖衬底和第一沟槽中的第一氧化层，所述图形化的阻挡层的材质与所述第二氧化层的材质不同，故在对所述第二氧化层进行湿法刻蚀时，不会对图形化的阻挡层造成刻蚀，由此能够对湿法刻蚀的刻蚀溶液进行阻挡，从而可以防止第一沟槽中的第一氧化层被侧向侵蚀的问题。如此一来，可以有效避免电极连接栅与栅极之间出现短路现象，保证了器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114050109A
申请号 ：
CN202210029445.7
公开（公告）日 ：
2022-02-15
申请日 ：
2022-01-12
授权号 ：
CN114050109B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
龙思阳朱红波唐斌欧志文
申请人 ：
广州粤芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
冯启正
优先权 ：
CN202210029445.7
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/311 G03F1/80 G03F1/76
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2022-03-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20220112
申请日 : 20220112
2022-02-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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