屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件
授权
摘要
本实用新型提供一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，包括衬底，衬底上形成有外延层；沟槽，位于外延层内，且沿外延层的厚度方向延伸，沟槽的上部空间设置有多晶硅栅极，下部空间设置有屏蔽栅；第一介质层，位于沟槽的内部，包裹屏蔽栅；其中，屏蔽栅的中间位置对应的第一介质层包括沿沟槽的侧壁依次设置的第一氧化层、氮化层及第二氧化层。本实用新型将屏蔽栅的中间位置对应的第一介质层设置为层叠结构，提高介电常数，增大源漏电容，相同耐压下可耗尽更多的电荷，提高外延层的掺杂浓度，降低了单位面积的导通电阻，节省了芯片面积，对小功率驱动、功率放大应用、中低频开关应用都是非常有利。
基本信息
专利标题 ：
屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122478254.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-14
授权号 ：
CN216213475U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
周振强徐承福
申请人 ：
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
田婷
优先权 ：
CN202122478254.2
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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