沟槽型屏蔽栅器件
授权
摘要
本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种沟槽型屏蔽栅器件。一种沟槽型屏蔽栅器件，包括：一外延层；和至少一有源区沟槽，位于外延层上；有源区沟槽内具有：一栅极多晶硅，位于有源区沟槽内；一栅极氧化物介质层，位于栅极多晶硅与有源区沟槽上部之间；栅极氧化物介质层的上部具有：一氧化物凸起部，伸出于有源区沟槽；栅极多晶硅的上部具有：一第一凸起部，伸出于有源区沟槽；一第二凸起部，位于第一凸起部上方。本实用新型具有第一凸起部和第二凸起部，使得刻蚀时的多晶硅消耗量极小，消除了由于栅极多晶硅回蚀时刻蚀量波动对栅极多晶硅的实际长度产生的影响，可以通过加大刻蚀量确保转角处多晶硅不会产生残留，减小器件漏电流。
基本信息
专利标题 ：
沟槽型屏蔽栅器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122244283.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-16
授权号 ：
CN216161742U
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
覃源高盼盼
申请人 ：
合肥矽普半导体科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F1-706
代理机构 ：
上海十蕙一兰知识产权代理有限公司
代理人 ：
于露萍
优先权 ：
CN202122244283.2
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/78
法律状态
2022-04-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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