沟槽终结端结构及JFET器件、沟槽MOS器件和沟槽二极管
授权
摘要
本实用新型公开了一种沟槽终结端结构及JFET器件、沟槽MOS器件和沟槽二极管，其中沟槽终结端结构，包括：碳化硅衬底(001)，所述碳化硅衬底(001)具有第一导电类型；碳化硅衬底(001)上生长的碳化硅外延(002)，在碳化硅外延(002)上刻蚀的多个沟槽(003)，在所述沟槽(003)中注入的第二导电类型注入区(004)。传统的平面结终端技术由于边缘球面结构使得电场分布不均匀，而沟槽结构结合钝化层填充能够更好的分散电场。
基本信息
专利标题 ：
沟槽终结端结构及JFET器件、沟槽MOS器件和沟槽二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020810320.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-15
授权号 ：
CN212625588U
授权日 ：
2021-02-26
发明人 ：
陈欣璐黄兴陈然
申请人 ：
派恩杰半导体（杭州）有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区浦沿街道六和路368号一幢(北)三楼D3204室
代理机构 ：
杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
董世博
优先权 ：
CN202020810320.4
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/808 H01L29/78 H01L29/861
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法律状态
2021-02-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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