高密度沟槽器件结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种高密度沟槽器件结构，属于功率半导体领域。本实用新型的高密度沟槽器件结构相比传统的沟槽MOSFET结构，将隔离层下沉到沟槽内部，将沟槽器件结构的整体作为源区电极层，不需要进行源极接触孔的刻蚀，简化了整体结构；采用沿Y轴方向间隔设置第一导电类型源区和第二导电类型源区的布局方式，突破了第一导电类型源区和第二导电类型源区分布在横向上对元胞区尺寸的限制。采用本实用新型的高密度沟槽器件结构可以进行元胞密度0.5um及以下的超高密度沟槽MOSFET生产制作，提升元胞密度三倍以上，可整体降低器件特征导通电阻超过20％以上。
基本信息
专利标题 ：
高密度沟槽器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021631421.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-07
授权号 ：
CN212517212U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
苏亚兵马一洁何鑫鑫
申请人 ：
上海维安半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
党蕾
优先权 ：
CN202021631421.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336 H01L21/28
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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