具有沟槽结构的半导体器件

授权

摘要

本实用新型公开具有沟槽结构的半导体器件。半导体器件包括：基底；漂移层；阱区；设置在阱区上的第一接触区和第二接触区；沟槽，沟槽的侧壁与第一接触区和阱区接触；第一掩埋区和第二掩埋区，设置在沟槽的底壁的下方并且与底壁接触；栅区，设置在沟槽中；第一源金属区，设置在沟槽中并且位于栅区下方；栅氧化区；第二源金属区，设置在第一接触区和第二接触区上方，并且与第一源金属区电连接；以及漏金属区。根据本实用新型的半导体器件具有更高的器件密度、更好的电流能力、和更小的开关损耗。

基本信息

专利标题：

具有沟槽结构的半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020513822.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-04-09

授权号：

CN212113729U

授权日：

2020-12-08

发明人：

郑亚良李浩南陈伟钿周永昌张永杰孙倩黎沛涛

申请人：

创能动力科技有限公司

申请人地址：

中国香港新界大埔白石角香港科学园3期12W座6楼611室

代理机构：

深圳市六加知识产权代理有限公司

代理人：

王媛

优先权：

CN202020513822.0

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/423