产生具有沟槽的半导体本体的方法、具有至少一个沟槽的半导体...
实质审查的生效
摘要
提出了一种产生具有沟槽的半导体本体的方法。半导体本体(10)包括基板(16)。该方法包括使用蚀刻掩模(38)将沟槽(11)蚀刻到基板(16)中的步骤。通过基板(16)的氧化至少在沟槽(11)的侧壁(14)上形成氧化物层(12)。钝化层(13)形成在氧化物层(12)和沟槽(11)的底部(15)上。从沟槽(11)的底部(15)去除钝化层(13)。最后，将金属喷镀层(18)沉积到沟槽(11)中。
基本信息
专利标题 ：
产生具有沟槽的半导体本体的方法、具有至少一个沟槽的半导体本体以及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556545A
申请号 ：
CN202080072590.2
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-10-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
G.帕特德T.博德纳
申请人 ：
ams有限公司
申请人地址 ：
奥地利普雷斯特滕
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
邓亚楠
优先权 ：
CN202080072590.2
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/538
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20201023
申请日 : 20201023
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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