窄半导体沟槽结构
发明专利申请公布后的驳回
摘要
用于窄半导体沟槽结构的系统和方法。在第一方法实施方案中，用于形成窄沟槽的方法包括在衬底上形成第一绝缘材料层，并产生穿过所述第一绝缘材料层并进入所述衬底的沟槽。在第一层和所述沟槽的暴露部分上形成第二绝缘材料，并且从所述第一绝缘材料层和所述沟槽底部除去所述第二绝缘材料。用外延材料填充所述沟槽，并除去所述第一绝缘材料层。通过除去所述第二绝缘材料的剩余部分形成窄沟槽。
基本信息
专利标题 ：
窄半导体沟槽结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101203942A
申请号 ：
CN200680007205.6
公开（公告）日 ：
2008-06-18
申请日 ：
2006-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
瑟－图·绍霍安·勒阔－英·陈
申请人 ：
维税－希力康克斯公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡胜有
优先权 ：
CN200680007205.6
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2015-12-09 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101724924450
IPC(主分类) : H01L 21/28
专利申请号 : 2006800072056
申请公布日 : 20080618
号牌文件序号 : 101724924450
IPC(主分类) : H01L 21/28
专利申请号 : 2006800072056
申请公布日 : 20080618
2008-08-13 ：
实质审查的生效
2008-06-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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