沟槽电容结构

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摘要

一种沟槽电容结构，包括一半导体基底；一电容深沟槽，形成于该半导体基底中；一领氧化层，设于该电容深沟槽的内壁上，其中该领氧化层于该电容深沟槽底部具有一开口，暴露出该电容深沟槽底部；一第一掺杂多晶硅层，设于该领氧化层及该电容深沟槽底部上；一电容介电层，设于该第一掺杂多晶硅层上；一第二掺杂多晶硅层，设于该电容介电层上，且该第二掺杂多晶硅层填满该电容深沟槽；一深离子井，通过该电容深沟槽底部与该第一掺杂多晶硅层电连接；及一栅极绝缘层，设于该第二掺杂多晶硅层及该浅沟绝缘结构上。

基本信息

专利标题：

沟槽电容结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200620112575.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2006-04-24

授权号：

CN2906929Y

授权日：

2007-05-30

发明人：

林永昌简山杰郭建利李瑞池

申请人：

联华电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200620112575.3

主分类号：

H01L27/108

IPC分类号：

H01L27/108