低电容的沟槽型VDMOS器件
授权
摘要
本实用新型属于半导体芯片制造的技术领域，具体涉及到一种低电容的沟槽型VDMOS器件，器件包括衬底层、外延层、体区及源区，所述外延层设置在所述衬底层上表面，所述体区设置在所述外延层上部，所述源区设置在所述外延层且位于所述体区上部，其特征在于，还包括第一沟槽，其设置在所述外延层，且穿过所述体区和源区；第二沟槽，其设置在所述外延层，所述第二沟槽穿过所述体区，且所述第二沟槽位于所述第一沟槽之间；栅极结构，其设置在所述第一沟槽和所述第二沟槽内。本实用新型在源区下面通过填充多晶硅，并与源区短接，从而可以起到辅助体区耗尽，增加耗尽层宽度，从而减小器件源漏间寄生电容的目的。
基本信息
专利标题 ：
低电容的沟槽型VDMOS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922262807.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-17
授权号 ：
CN211017087U
授权日 ：
2020-07-14
发明人 ：
夏亮完颜文娟杨科
申请人 ：
华羿微电子股份有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市未央区经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭永丽
优先权 ：
CN201922262807.3
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2020-07-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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