低成本的深沟槽去耦电容器器件及其制造方法

专利申请权、专利权的转移

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摘要

一种新颖的沟槽型去耦电容器结构以及用于形成该沟槽去耦电容器(decap)的低成本制造方法。在特有的方面，本发明只需在基本逻辑设计中增加简化的沟槽。

基本信息

专利标题：

低成本的深沟槽去耦电容器器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1794457A

申请号：

CN200510123671.8

公开（公告）日：

2006-06-28

申请日：

2005-11-18

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

H·L·霍W·F·埃里斯金德起P·C·帕里斯J·E·法尔特迈尔J·E·小巴思B·A·安德森S·伊耶R·W·曼R·迪瓦卡茹尼

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静

优先权：

CN200510123671.8

主分类号：

H01L27/108

IPC分类号：

H01L27/108 H01L27/102 H01L27/10 H01L27/00 H01L29/92 H01L21/8242 H01L21/8222 H01L21/82 H01L21/02 H01L21/00 H01G4/00

相关图片

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

H01L27/04

其衬底为半导体的

H01L27/10

在重复结构中包括有多个独立组件的

H01L27/105

包含场效应组件的

H01L27/108

动态随机存取存储结构的

法律状态

2017-11-24 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/108
登记生效日 : 20171106
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2017-11-24 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/108
登记生效日 : 20171106
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2009-03-04 ：

授权

2006-08-23 ：

实质审查的生效

2006-06-28 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

CN100466263C.PDF

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2、

CN1794457A.PDF

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