一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制造方法
公开
摘要
本发明公开了一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制造方法，应用于半导体器件技术领域，所述器件包括n型衬底、n型缓冲层、n型漂移区、第一p阱区、第二p阱区、n+源区、p+屏蔽区、p+结区、栅氧化层、多晶硅栅、隔离介质层、源极欧姆接触金属、源极、栅极、漏极欧姆接触金属以及漏极。本发明通过设置第一p阱区和第二p阱区，且第一p阱区的掺杂浓度高于第二p阱区掺杂浓度，以及凸台状的n型缓冲层与p+屏蔽区，且设置p+结区与n型缓冲层的凸台相对，提高了沟槽型SiC MOSFET器件的阈值电压与雪崩耐量，使沟槽型SiC MOSFET器件的综合性能得到改善。
基本信息
专利标题 ：
一种沟槽型SiC MOSFET器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628525A
申请号 ：
CN202210245628.2
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许海东谌容王曦
申请人 ：
南京晟芯半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁经济技术开发区高湖路105号
代理机构 ：
南京睿之博知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨雷
优先权 ：
CN202210245628.2
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L29/08 H01L29/10 H01L29/423
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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