FinFET器件的制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种FinFET器件的制造方法，包括：提供一衬底，衬底包括器件区及隔断区；在器件区及隔断区上形成FinFET结构；在FinFET结构上形成掩模层，利用掩模层去除隔断区上的FinFET结构，以形成暴露隔断区的沟槽；于沟槽内形成隔断结构，以隔断结构隔断器件区的FinFET结构。本发明中，在器件区与隔断区上形成FinFET结构，再去除隔断区的FinFET结构以形成隔断结构，可在结构及应力相对均匀的环境中形成器件区的FinFET结构，避免在形成FinFET结构时由于器件区及隔断区的结构不同所导致的鳍片弯曲等问题发生的风险，从而提高制造FinFET器件的良率，而且，在整个FinFET器件的制造过程中避免了反复多次去除隔断区的相关结构的过程，有利于简化工艺制程，提高效率。
基本信息
专利标题 ：
FinFET器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334659A
申请号 ：
CN202111643303.1
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘洋
申请人 ：
上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202111643303.1
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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