电子器件、半导体器件及其制造方法
授权
摘要
本发明提供了一种利用适合于批量生产制造大衬底的液滴喷射法的制造工艺。通过液滴喷射法选择性地喷射导电膜的光敏材料溶液，选择性地暴露于激光光线，并且显影或蚀刻，由此只允许暴露于激光光线的区域留下，以及实现具有比由喷射形成的图案本身更微小图案的源极布线和漏极布线。源极布线和漏极布线的一个特征是，源极布线和漏极布线穿过岛状半导体层并且与它交叠。
基本信息
专利标题 ：
电子器件、半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101477990A
申请号 ：
CN200810186809.2
公开（公告）日 ：
2009-07-08
申请日 ：
2006-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
前川慎志桑原秀明
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县厚木市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
韦欣华
优先权 ：
CN200810186809.2
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L29/786 H01L29/12 H01L29/24 H01L29/417 H01L27/32 H01L27/15 H01L21/84 H01L21/336 G02F1/1362
法律状态
2013-08-21 ：
授权
2009-09-02 ：
实质审查的生效
2009-07-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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