制造电子器件的方法
专利权的终止(专利权有效期届满)
摘要
介绍了一种经改进的电气器件的制造方法。该器件是个例如装在模制件中的集成电路芯片。在进行模制之前，将集成电路芯片涂以氮化硅，以保护集成电路芯片免受湿气通过裂纹或缝隙的侵袭。氟化硅涂层是在用等离子体化学汽相淀积法清洗集成电路芯片的表面之后进行的。
基本信息
专利标题 ：
制造电子器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1040461A
申请号 ：
CN89106675.6
公开（公告）日 ：
1990-03-14
申请日 ：
1989-08-05
授权号 ：
CN1019250B
授权日 ：
1992-11-25
发明人 ：
山崎舜平浦田一男小山到石田典也佐佐木麻里今任慎二中下一寿广濑直树
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN89106675.6
主分类号 ：
H01L23/28
IPC分类号 ：
H01L23/28 H01L21/56
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
法律状态
2009-11-11 ：
专利权的终止(专利权有效期届满)
2002-04-24 ：
其他有关事项
1993-09-01 ：
授权
1992-11-25 ：
审定
1991-10-30 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1990-03-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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