电子器件的制造方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
介绍一种改进的电子器件及其制造方法。该器件，比如说是一种其中带有引线，模压塑料封装的IC芯片。在模压工序之前，将IC芯片，连同引线结构，在高真空条件下涂覆一层氮化硅或其它电绝缘材料，以便保护IC芯片免遭通过封装的裂痕或间隙入侵的湿气的侵蚀。在IC芯片及其连带的结构表面清洗之后，用等离子CVD法很方便地实施氮化硅层的涂覆。
基本信息
专利标题 ：
电子器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1041849A
申请号 ：
CN89108372.3
公开（公告）日 ：
1990-05-02
申请日 ：
1989-10-12
授权号 ：
CN1023165C
授权日 ：
1993-12-15
发明人 ：
山崎舜平浦田一男广濑直树小山到今任慎二中下一寿
申请人 ：
株式会社能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN89108372.3
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L21/98
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2008-12-10 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2002-04-24 ：
其他有关事项
1993-12-15 ：
授权
1992-01-22 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1990-05-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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