用于制造电子器件的方法
授权
摘要
本申请涉及一种制造电子器件、更特别地由氮化铟镓(InGaN)或氮化铝镓(AlGaN)制成的电致发光器件的方法，包括以下连续步骤：a)执行铟或铝到第一单晶氮化镓(GaN)层(105)的上部部分(105a)的离子注入，以使第一层(105)的上部部分(105a)非晶化并保持第一层(105)的下部部分(105b)的晶体结构；以及b)对第一层(105)的上部部分(105a)进行固相再结晶退火，从而导致将第一层(105)的上部部分(105a)转变成晶体氮化铟镓(InGaN)或氮化铝镓(AlGaN)层。
基本信息
专利标题 ：
用于制造电子器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112740363A
申请号 ：
CN201980061277.6
公开（公告）日 ：
2021-04-30
申请日 ：
2019-09-17
授权号 ：
CN112740363B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
休伯特·博诺
申请人 ：
原子能与替代能源委员会
申请人地址 ：
法国巴黎
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
谭营营
优先权 ：
CN201980061277.6
主分类号 ：
H01L21/265
IPC分类号 ：
H01L21/265 H01L21/02 H01L33/00 H01L33/12 H01L31/18 H01L27/15 H01L29/20 H01L29/778 H01L31/0304 H01L33/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/265
产生离子注入的
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2021-05-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/265
申请日 : 20190917
申请日 : 20190917
2021-04-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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