电子器件和用于制造电子器件的系统
授权
摘要
本公开涉及电子器件和用于制造电子器件的系统。该电子器件包括：碳化硅SiC的衬底，所述衬底具有沿一方向彼此相对的正侧与背侧；在所述衬底的所述正侧处延伸的SiC的结构层；在所述结构层中延伸的有源区，所述有源区被配置为在所述电子器件的使用期间生成或传导电流；在所述结构层上延伸的第一电端子；在所述衬底的所述背侧处的第一金属的化合物的中间层，所述第一金属的所述中间层包括钛层、钼层、钽层、钨层或钴层中的至少一项；和在所述中间层上延伸的第二电端子。由此，提供了改进的电子器件。
基本信息
专利标题 ：
电子器件和用于制造电子器件的系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202120471549.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-03-04
授权号 ：
CN216719954U
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
S·拉斯库纳P·巴达拉A·巴西M·G·萨吉奥G·弗兰科
申请人 ：
意法半导体股份有限公司
申请人地址 ：
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202120471549.4
主分类号 ：
H01L29/45
IPC分类号 ：
H01L29/45 H01L29/872 H01L21/329 H01L21/04
法律状态
2022-06-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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