电子器件的制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明公开了一种半导体器件制造方法，其中至少包括一步是形成被刻图形的层，该层可以是导电金属层，透明导电层和不透明导电层的或反射的得叠层，或非单晶半导体层；另一步是用波长为400毫微米或更短的激光束在绘有图形层部分刻出图形，这些层可以是刻有图形的导电金属层，刻有图形的透明导电层和非透明的或反射导电层的重叠层，或刻有图形的非单晶半导体层。本发明的优点在于形成的刻有图形层上没有任何缺陷。
基本信息
专利标题 ：
电子器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85108626A
申请号 ：
CN85108626.8
公开（公告）日 ：
1986-06-10
申请日 ：
1985-10-28
授权号 ：
CN1004245B
授权日 ：
1989-05-17
发明人 ：
山崎舜平伊藤健二永山进
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
刘晖
优先权 ：
CN85108626.8
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L21/268 H01L21/28
法律状态
1998-12-16 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-01-24 ：
授权
1989-05-17 ：
审定
1986-09-24 ：
实质审查请求
1986-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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