电子器件、电子器件的制造方法以及电子设备
专利权的视为放弃
摘要
本发明的薄膜晶体管(1)具有彼此分离设置的源电极(20a)以及漏电极(20b)、在源电极(20a)和漏电极(20b)的表面形成的有机膜(60)、以覆盖源电极(20a)和漏电极(20b)且与有机膜(60)接触的方式设置的有机半导体层(30)、在有机半导体层(30)上设置的栅极绝缘层(40)、和在栅极绝缘层(40)上设置的栅电极(60)。有机膜(60)优选使含有用通式：CF3(CF2)m(CH2)nSH(其中m表示1～35的整数，n表示2～33的整数)表示的非共轭系有机化合物的有机化合物与源电极(20a)和漏电极(20b)的表面结合而成的膜。由此，本发明提供特性出色而且可以防止特性随时间发生劣化的电子器件、使用该电子器件的显示装置以及电子设备。
基本信息
专利标题 ：
电子器件、电子器件的制造方法以及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790766A
申请号 ：
CN200510116255.5
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
增田贵史泷口宏志
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李香兰
优先权 ：
CN200510116255.5
主分类号 ：
H01L51/05
IPC分类号 ：
H01L51/05 H01L51/30 H01L51/40
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法律状态
2010-08-25 ：
专利权的视为放弃
号牌文件类型代码 : 1606
号牌文件序号 : 101004993955
IPC(主分类) : H01L 51/05
专利申请号 : 2005101162555
放弃生效日 : 20060621
号牌文件序号 : 101004993955
IPC(主分类) : H01L 51/05
专利申请号 : 2005101162555
放弃生效日 : 20060621
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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