有机半导体装置及其制造方法、电子器件和电子设备
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种容易制造并得到工作速度快的有机半导体装置及其制造方法、工作速度快的有机半导体装置、可靠性高的电子器件。具有栅电极(50)、源电极(20a)、漏极(20b)、有机半导体层(30)、将与栅电极(50)相对应的源电极(20a)和漏极(20b)进行绝缘的栅极绝缘层(40)、支承它们的基板(500)的有源矩阵装置(有机半导体装置)的制造方法中，在形成有机半导体层(30)之前，在基板(500)上主要用具有液晶性核心的有机高分子材料构成，形成在规定方向上取向的缓冲层(基底层)(60)，此后，通过形成有机半导体层(30)，使有机半导体层(30)沿着缓冲层(60)取向方向取向。
基本信息
专利标题 ：
有机半导体装置及其制造方法、电子器件和电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1881647A
申请号 ：
CN200610093718.5
公开（公告）日 ：
2006-12-20
申请日 ：
2006-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山本均
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200610093718.5
主分类号 ：
H01L51/40
IPC分类号 ：
H01L51/40 H01L51/05
法律状态
2009-12-30 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-02-14 ：
实质审查的生效
2006-12-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
