电子器件的制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种电子器件的制造方法，包括：提供封装件，封装件具有第一侧，第一侧具有相邻的第一区域和第二区域；提供载体以承载封装件；在第二区域中形成第一屏蔽层，并且通过载体阻挡第一屏蔽层形成在第一区域中。本发明的上述技术方案，至少能够避免屏蔽层损伤。
基本信息
专利标题 ：
电子器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551407A
申请号 ：
CN202210038281.4
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林柏州陈仁君施百胜骆学龙张澄凯
申请人 ：
日月光半导体制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾高雄市
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN202210038281.4
主分类号 ：
H01L23/552
IPC分类号 ：
H01L23/552 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置，例如光
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/552
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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