集成电子器件及其制造方法

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摘要

一种具有半导体本体(30)的集成电子器件包括：第一电极区域(32)，该第一电极区域具有第一导电类型；以及第二电极区域(28，34，38)，该第二电极区域具有第二导电类型，该第二电极区域与该第一电极区域形成结。该集成电子器件进一步包括：纳米结构半导体区域(48)，该纳米结构半导体区域在该第一和第二电极区域(32；28，34，38)之一中延伸。

基本信息

专利标题：

集成电子器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN107785369A

申请号：

CN201710197884.8

公开（公告）日：

2018-03-09

申请日：

2017-03-29

授权号：

CN107785369B

授权日：

2022-04-15

发明人：

M·萨姆比F·F·R·托亚M·马彻西M·莫里利R·德佩特罗G·巴里拉罗L·M·斯特拉姆比尼

申请人：

意法半导体股份有限公司

申请人地址：

意大利阿格拉布里安扎

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

王茂华

优先权：

CN201710197884.8

主分类号：

H01L27/06

IPC分类号：

H01L27/06 H01L29/861 H01L29/78 H01L21/8249