集成电子器件
授权
摘要
本公开的实施例涉及集成电子器件。一种集成电子器件包括绝缘体上硅(SOI)衬底。在SOI衬底中和上形成至少一个MOS晶体管。该至少一个MOS晶体管具有栅极区域，其接收控制电压；背栅极，其接收调整电压；源极/漏极区域，其具有电阻部分；第一端子，其耦合到第一电压(例如，参考电压)并且形成在源极/漏极区域中和电阻部分的第一侧上；以及第二端子，其生成代表集成电子器件的温度的电压，该第二端子形成在源极/漏极区域中和电阻部分的第二侧上。调整电路将调整电压生成为具有取决于控制电压和第二端子所生成的电压的值。
基本信息
专利标题 ：
集成电子器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920821398.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-03
授权号 ：
CN209993598U
授权日 ：
2020-01-24
发明人 ：
P·加利R·勒蒂克
申请人 ：
意法半导体有限公司
申请人地址 ：
法国蒙鲁
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
王茂华
优先权 ：
CN201920821398.3
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H03K17/687
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-01-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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