成像元件、电子器件、制造设备以及制造方法

授权

摘要

本发明涉及能够在抑制图像质量的任何下降的同时抑制像素尺寸的任何增加的成像元件和电子器件、制造设备以及制造方法。例如，成像元件包括元件隔离区域，元件隔离区域由绝缘体构成并且贯穿半导体层，半导体层具有形成在像素中的晶体管，像素包括用于光电转换入射光的光电转换部。另外，例如，电子器件包括成像部，成像部具有元件分离区域，元件隔离区域由绝缘体形成并且贯穿半导体层，半导体层具有形成在像素中的晶体管，像素包括用于光电转换入射光的光电转换部。本发明不仅可适用于成像元件和电子器件，例如，还可适用于用于制造根据本发明的成像元件和电子器件的制造设备和制造方法。

基本信息

专利标题：

成像元件、电子器件、制造设备以及制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN107615487A

申请号：

CN201680028501.8

公开（公告）日：

2018-01-19

申请日：

2016-05-20

授权号：

CN107615487B

授权日：

2022-04-15

发明人：

高桥裕嗣

申请人：

索尼公司

申请人地址：

日本东京

代理机构：

北京信慧永光知识产权代理有限责任公司

代理人：

曹正建

优先权：

CN201680028501.8

主分类号：

H01L27/146

IPC分类号：

H01L27/146 H01L21/76 H01L21/8238 H01L27/092 H01L27/14 H04N5/369

法律状态

2022-04-15 ：

授权

2018-06-15 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20160520

2018-01-19 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载