存储元件、微电子器件、其制造方法及存储信息的方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明公开了一种存储元件和微电子器件及其制造方法。所述存储元件包括：第一数量的电极和第二数量的导电沟道，所述沟道在两电极子组之间，所述沟道表现出在不同的状态之间可逆转换的电阻，其中，第一数量大于二且第二数量大于第一数量的二分之一。导电沟道可以设置为过渡金属氧化物材料，其表现出可逆转换电阻，其归因于在电极和过渡金属氧化物材料之间的界面处的转换现象。
基本信息
专利标题 ：
存储元件、微电子器件、其制造方法及存储信息的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819296A
申请号 ：
CN200510108818.6
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
桑托斯·F·阿尔瓦拉多格哈德·I·梅杰乔格·贝德诺兹
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约阿芒克
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510108818.6
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2014-03-12 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101698334220
IPC(主分类) : H01L 45/00
专利申请号 : 2005101088186
申请公布日 : 20060816
号牌文件序号 : 101698334220
IPC(主分类) : H01L 45/00
专利申请号 : 2005101088186
申请公布日 : 20060816
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
